存储芯片领域,中国迎来打破美日韩垄断关键一战

2019-09-11 12:09:18    参考消息网

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在这一领域,中国迎来打破美日韩垄断关键一战

长江存储64层3D NAND闪存晶圆(长江存储官网)

长江存储64层3D NAND闪存晶圆(长江存储官网)

参考消息网9月11日报道 港媒称,紫光集团旗下长江存储近日宣布,已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存(3D NAND),容量为256Gb,以满足固态硬盘(SSD)嵌入式存储等主流市场应用的需求,这也是中国首款64层三维闪存芯片,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内,被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

据香港《大公报》近日报道,长江存储官网消息,上海中国国际半导体博览会举行前夕,公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3D NAND闪存。作为中国首款64层3D NAND闪存,该产品将亮相博览会紫光集团展台。

所谓3D NAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来,形成多层结构提供容量,使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

报道指出,长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

长江存储相关负责人向《大公报》表示,长江存储64层三维闪存产品的量产,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

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