港媒:中国3纳米晶体管研发获突破 在芯片前沿发起正面竞争(2)

2019-05-28 15:30:49    参考消息

殷华湘说:“这是我们工作中最激动人心的部分。这不仅是实验室中的又一项新发现。它有着实际应用的巨大潜力。而我们拥有专利。”

报道称,殷华湘说,这项突破将让中国“在芯片研发的前沿同世界头号角色进行正面竞争”。他说:“在过去,我们看着其他人竞争。现在,我们在同其他人竞争。”

据报道,中国还在研发一种原子大小(0.5纳米)的晶体管,而其他国家已经加入将3纳米晶体管投入市场的竞赛。

韩国三星公司说,它计划到明年上半年完成3纳米晶体管的研发。三星说,同7纳米技术相比,用它的3纳米晶体管制造的处理器只需用一半的电力,性能却会提高35%。三星没有说它预计这些芯片将于何时投产。

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